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寄生电容产生的原因,寄生电容怎么消除-KIA MOS管
势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，最终使扩散运动达到平衡）；www.kiaic.com/article/detail/5574.html 2025-04-22
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mos管结电容,结电容对电路的影响-KIA MOS管
MOS管结电容，是MOS管在极化时，于栅极与漏极/源极间形成的、能存储电荷的电容。它作为MOS管的关键参数，对管子的动态功耗、响应速度等特性有着决定性影响，www.kiaic.com/article/detail/5610.html 2025-04-10
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电阻和电容并联阻抗怎么计算?计算公式详解-KIA MOS管
电阻和电容并联阻抗计算Z = 1/√[(1/R)² + (1/XL - 1/XC)²]其中：R 为电阻值XL 为电感的感抗，其公式为 XL = 2πfL，其中 f 为交流电频率，L 为电感值XC 为电容的容抗，其公式为 XC = 1/(2πfC)，其中 C 为电容值www.kiaic.com/article/detail/5490.html 2025-02-13
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电容储能公式，电容储能原理详解-KIA MOS管
通过在电极上储存电荷来储存电能。当电容器两端施加电压时，正极板吸引电子使其带上负电荷，而负极板则因失去电子而带上正电荷。这样，两个极板之间形成了电场，电荷被储存在电场中。www.kiaic.com/article/detail/5488.html 2025-02-12
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电容在电路中的作用,电容的用途-KIA MOS管
电容在电路中可以储存电能，当电路断开时，电容可以释放储存的电能，为电路提供短暂的能量供应。电容可以对交流信号进行滤波，去除信号中的杂波，提高电路的信噪比。www.kiaic.com/article/detail/5398.html 2024-12-23
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开漏Open-drain和推挽push-pull详解-KIA MOS管
开漏电路是指以MOSFET的漏极为输出的电路，在内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET（Q1），这些器件可以用于电平转换的应用。输出电压由Vcc决定。www.kiaic.com/article/detail/5306.html 2024-11-11
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电容的充放电原理,电容的充放电过程-KIA MOS管
电容是一种以电场形式储存能量的无源器件。在需要的时候，电容能够把储存的能量释出至电路。电容由两块导电的平行板构成，在板之间填充上绝缘物质或介电物质。电容的充放电原理基于电荷的运动和储存。当?电容器接通电源时，电荷会在电场力的作用下从电源正极移...www.kiaic.com/article/detail/5226.html 2024-09-26
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电解电容失效原因,电解电容失效分析-KIA MOS管
绝缘击穿:当电解电容承受的电压超过其额定电压时，电容器内部的绝缘层可能会发生击穿现象，导致电容器失效。绝缘击穿的原因可能是电容器内部存在缺陷或损伤，或者是电容器承受的电压超过了其额定电压。www.kiaic.com/article/detail/5213.html 2024-09-25
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电解电容正负极判断,电解电容正负极区分-KIA MOS管
电解电容区分正负极：①电容套管白色银边且有“一字”标识的侧端引脚为电容负极，另一侧端引脚则为电容正极；②新的电容引脚长的为电容正极，另一引脚则为电容负极。www.kiaic.com/article/detail/5193.html 2024-09-05
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Ciss和Coss和Crss,电容特性Ciss,Coss,Crss-KIA MOS管
MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容，Ciss为输入电容，Crss为反馈电容，Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。www.kiaic.com/article/detail/5187.html 2024-09-03
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薄膜电容器详解,薄膜电容器的作用-KIA MOS管
薄膜电容(Film Capacitor)器又称塑料薄膜电容(Plastic Film Capacitor)。其以塑料薄膜为电介质。薄膜电容广泛被使用在模拟信号的交连，电源噪声的旁路(反交连)等地方。薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端...www.kiaic.com/article/detail/5117.html 2024-07-31
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钽电容正负极怎么分,钽电容正负极标识图-KIA MOS管
钽电容的正负极区分主要依赖于观察其表面的标识和PCB板上的标识。钽电容的正负极通常会有明确的标识，例如符号“+”或“-”。正负极标识会出现在电容的外壳或者端头上。www.kiaic.com/article/detail/5107.html 2024-07-26
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三点式振荡电路,电容三点式振荡电路,原理图-KIA MOS管
由图可见：与发射极相连的两个电抗元件为同性质的容抗元件C1和C2，与基极和集电极相接的为异性质的电抗元件L，则电路满足相位条件，为电容三点式振荡电路。电容三点式振荡电路的优点是：振荡波信号，输出波形接近正弦波；电路的频率稳定度较高，工作频率范围较...www.kiaic.com/article/detail/5105.html 2024-07-25
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varactor电容,变容二极管正负极判断,原理作用-KIA MOS管
Varactor电容，也称为?变容二极管，其电容值可以根据外加电压的变化而改变。变容二极管又称“可变电抗二极管”，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为...www.kiaic.com/article/detail/5102.html 2024-07-24